一、专利发明详细说明
1、光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司和中芯国际集成电路制造(北京)有限公司取得一项名为“光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法”的专利,授权公告号为CN112445059B,该专利涉及半导体制造领域,通过优化光学邻近修正和光掩膜版制作工艺,提高了芯片制造的精度和效率。
2、半导体结构及其形成方法:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请的“半导体结构及其形成方法”发明专利正式公开,专利号为CN202310779118.8,该专利涉及一种新型半导体结构,旨在提升闪存器件的性能稳定性。
3、GOI测试结构:中芯国际集成电路制造(天津)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司及中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请的一项名为“GOI测试结构”的发明专利,预计将于2024年12月31日正式公开,该专利涉及一种新型的GOI测试结构,主要用于集成电路制造过程中的质量检测。
4、存储单元、存储器及其工作方法:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司与中芯国际集成电路制造(上海)有限公司联合申请的一项名为“存储单元、存储器及其工作方法”的专利,公开号为CN119156008A,申请日期为2023年6月,该专利涉及一种存储单元、存储器及其工作方法,能够提高存储设备的性能和可靠性。
5、单端读取电路、存储器及其读取方法:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司向国家知识产权局申请的一项名为“单端读取电路、存储器及其读取方法”的专利正式公布,该专利申请于2023年6月提交,该专利涉及一种单端读取电路、存储器及其读取方法,能够提高存储器的读取速度和准确性。
二、单元表格
序号 | 专利名称 | 申请单位 | 授权/公开号 | 技术领域 | 主要特点 |
1 | 光学邻近修正、光掩膜版制作及图形化方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | CN112445059B | 半导体制造 | 优化光学邻近修正和光掩膜版制作工艺,提高芯片制造精度和效率 |
2 | 半导体结构及其形成方法 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | CN202310779118.8 | 半导体技术 | 新型半导体结构,提升闪存器件性能稳定性 |
3 | GOI测试结构 | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 未公开 | 集成电路制造质量检测 | 新型GOI测试结构,用于集成电路制造过程中的质量检测 |
4 | 存储单元、存储器及其工作方法 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | CN119156008A | 存储技术 | 提高存储设备性能和可靠性的存储单元、存储器及其工作方法 |
5 | 单端读取电路、存储器及其读取方法 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 未公开 | 存储器技术 | 提高存储器读取速度和准确性的单端读取电路、存储器及其读取方法 |
三、相关问题与解答
1、什么是专利发明?
专利发明是指对产品、方法或者其改进所提出的新的技术方案,它是技术创新的重要体现,可以通过申请专利获得法律保护。
2、专利发明有哪些类型?
专利发明主要包括发明专利、实用新型专利和外观设计专利,发明专利是最主要的一种,它涵盖了产品发明和方法发明。
3、如何申请专利发明?
申请专利发明需要提交一系列文件,包括请求书、说明书、权利要求书等,还需要缴纳相应的申请费用,具体的申请流程和要求可以咨询专业的知识产权代理机构或律师。
4、专利发明的保护期限是多久?
专利发明的保护期限根据专利类型的不同而有所差异,发明专利的保护期限为20年,实用新型专利和外观设计专利的保护期限为10年。
5、专利发明在商业竞争中有什么作用?
专利发明在商业竞争中具有重要作用,它可以为企业提供技术优势和市场竞争力,保护企业的创新成果不被侵犯,拥有专利发明还可以增加企业的无形资产价值,提高企业的融资能力和品牌影响力。
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