1、专利名称：一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该专利的授权公告号为CN116110785B，授权公告日为2024.05.07，申请号为2022116479824，申请日为2022.12.21，专利权人包括北京智慧能源研究院、国家电网有限公司、国网上海市电力公司电力科学研究院和国网上海市电力公司等，发明人有聂瑞芬、魏晓光、高凯等，该专利的分类号为H01L21/331 (2006.01)I;H01L29/739 (2006.01)I。
2、专利名称：基于自对准结构的叠层沟道纳米片晶体管及其制备方法，该专利的申请号为202011316239.1，申请日为2020-11-22，发明人包括万景、包文中、邓嘉男等。
3、专利名称：一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法，该专利的申请号为202011282535.4，申请日为2020-11-16，发明人包括童领、包文中、马静怡等。
以下是一个简化的介绍，概述了所提供信息中提到的晶体管相关的专利申请：
| 申请公司 | 专利名称 | 公开号 | 申请日期 | 主要内容简述 |
| 吉林华微电子股份有限公司 | 一种场效应晶体管及其制备方法 | CN202410367745.5 | 2024年03月 | 优化器件动态性能，降低漏电流，改善栅极电阻和输入电容 |
| 上海和辉光电股份有限公司 | 像素驱动电路、显示面板以及像素驱动电路的驱动方法 | CN202211606282.0 | 2022年12月 | 降低驱动晶体管迟滞，改善显示屏残影现象 |
| 北京大学 | 堆叠晶体管的互连方法、堆叠晶体管及半导体器件 | CN117894754A | 2024年02月 | 实现半导体器件的高效互连 |
| 上海韦尔半导体股份有限公司 | 放大器电路 | CN202211607904.1 | 2022年12月 | 调整晶体管的栅极电压偏移 |
| 华为技术有限公司 | 鳍式双极结型晶体管及其制备方法、电子设备 | CN117546300A | 2021年10月 | 提高鳍式双极结型晶体管的驱动电流能力，优化发射极和基极布局方式 |
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